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半导体器件辐照损伤的缺陷计算与动力学模拟研讨会圆满召开
2019/11/27 9:45:32    新闻来源:中国仿真学会集成微系统建模与仿真专业委员会

      2019111-3日,半导体器件辐照损伤的缺陷计算与动力学模拟研讨会在天津召开。会议由科学挑战专题重点领域"强约束条件下集成微系统的基础科学技术问题"、中国仿真学会集成微系统建模与仿真专委会主办,南开大学电子信息与光学工程学院承办。


会议阐述了电离辐射损伤中a-SiO?体及a-SiO?/Si界面缺陷性质和相关物理过程的第一性原理计算模拟和非电离辐射损伤中Si4H-SiCGaN体缺陷性质和相关物理过程的第一性原理计算模拟的相关内容。会议探讨了电离辐射损伤缺陷动力学过程的建模与仿真和非电离辐射损伤与协同效应缺陷动力学过程的建模与仿真的有关问题。会议期间,参会人员积踊跃发言、各抒己见,研讨氛围十分热烈,全力支持此次研讨会召开。

大会全程由南开大学电子信息与光学工程学院左旭教授主持,主办单位代表致辞,并预祝大会圆满成功。著名华裔物理与材料科学家魏苏淮教授、计科中心黄兵教授等20余人参加会议。


会议紧张有序地进行,各位知识渊博的专家在本次研讨会上对最新成果进行了分享并积极讨论,在答疑解惑的同时收获颇多。旁听的同学们在研讨会上聚精会神地聆听报告人发言并认真思考其研究内容,开阔了研究生从事科研工作的视野,也为今后的科研道路奠定了基础。

魏苏淮教授做了题为《A realistic dimension-independent approach for charged defect calculations in semiconductors》的报告,宋宇教授做了题为《Analytical models of ionizing defects in bipolar defects》的报告,黄兵教授做了题为《Defect Properties in SiC and GaN Materials》的报告,马召灿博士做了题为《三维电离损伤的数值模拟和模型分析及计算平台TIDSIM的研发进展》的报告,左旭教授做了题为《Ab-initio study on bulk and interface defects of amorphous SiO2》的报告,郭寻教授做了题为《SiC中辐照缺陷的计算机模拟及实验验证》的报告,杨增辉教授做了题为《An efficient adaptive QM/MM method for covalently bonded systems with momentum-based QM/MM partitioning》的报告,李鸿亮教授做了题为《Robust nonconforming finite element method for singular perturbation method》的报告,刘杨教授做了题为《双极晶体管位移损伤的注量率效应仿真建模》的报告,王维华教授做了题为《面向快速电子器件应用的新型电子材料设计》的报告。本次研讨会促进了半导体器件辐照损伤的计算模拟及相关领域的学术交流,探讨了本领域的前沿进展,会议取得圆满成功。







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